半導體製程技術已行之多年，從1995年的0.35μm到現今已成功開發出0.09μm的製程技術，突顯出半導體製程技術中的積體化、微小化已朝向奈米尺度(nano scale) 的趨勢發展。以傳統平面半導體製程來說，最基本的程序可分為薄膜成長、微影與蝕刻成型。而其中以微影製程的程序最為繁雜及關鍵，所需設備及耗材花費亦極為昂貴。其次，進入奈米化尺度，現有的紫外光或深紫外光技術已無法達到需求了，取而代之的是電子束或X光微影技術。近幾年、原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope)的局部陽極氧化及微影製程技術已漸趨成熟，目前雖還處於實驗室階段，但是其奈米級線寬的精準度，可免去光罩的利基，以及設備價位的優勢，使得利用原子力顯微鏡進行微影製程日趨重要。本研究基於上述考量將對原子力顯微鏡之奈米微影加工術(AFM-Lithography)製程技術，藉由田口方法來評估研發階段的最佳參數組合，探討此製程的優缺點作為學術及產業界的參考。
