勤益科大機構典藏:Item 987654321/1532
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    题名: 直流磁控共濺鍍銅銦合金薄膜及其硒化之研究
    Investigations on Selenization of DC Co-sputtered Cu-In Thin Films
    作者: 葉仲凱
    Yeh, Chung-Kai
    贡献者: 機械工程系
    关键词: CuInSe2;直流磁控共濺鍍法;硒化法
    Co-sputtering;Cu-In alloy;CuInSe2 thin film;solar cells
    日期: 2008
    上传时间: 2008-10-06 14:41:52 (UTC+8)
    摘要: 本研究為了暸解以直流磁控共濺鍍法(DC Co-Sputter)製備銅銦合金薄膜之結構以及對其硒化後的CuInSe2 薄膜的影響，實驗中，以固定銦的濺鍍功率，藉由改變銅的濺鍍功率，得到所需之銅銦合金薄膜的成分比例與結構，銅銦的成分與結構和硒化銅銦薄膜所製成之元件性能有相當密切的關係，探討在不同的銅銦比率下，其晶粒的大小、表面型態、微觀組織、化學組成等變化，並將適當之銅銦合金薄膜置於石墨盒中，在充足的硒氣氛下，對銅銦合金薄膜進行硒化，並對其硒化後之薄膜進行分析。
    實驗中發現在不同銅的濺鍍功率條件下，銅銦合金層以Cu11In9相或Cu11In9和CuIn混合相存在。由Cu11In9和CuIn混合相薄膜形成的CuInSe2具有單一黃銅礦相結構。且其成分接近於CuInSe2 組成成分比。而以Cu11In9 相銅銦合金薄膜進行硒化，硒化後除了CuInSe2相外，還出現了第二相Cu2Se ，因此，銅銦合金薄膜具有Cu11In9和CuIn混合相，才適合硒化成單一相CuInSe2薄膜。
    显示于类别:[機械工程系(所)] 【機械工程系】博碩士論文

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