利用一實驗程序來決定多晶矽薄膜之電阻溫度係數

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題名:	利用一實驗程序來決定多晶矽薄膜之電阻溫度係數 A STEP-BY-STEP PROCEDURE FOR DETERMINING THERMAL RESISTIVITY COEFFICIENTS OF DOPED POLYSILICON THIN FILMS
作者:	潘吉祥 Pan, Chi-Hsiang
貢獻者:	機械工程系 Department of Mechanical Engineering
日期:	2003-07
上傳時間:	2008-12-23 10:26:34 (UTC+8)
出版者:	勤益科技大學
摘要:	本文利用微加工測試結構和一般實驗儀器，並提出一實驗步驟程序來決定多晶矽薄膜之電阻溫度係數。測試結構可以利用簡單矽微加工技術製作，而且可同時與元件製作在相同晶片上，以檢測薄膜的電阻溫度係數。測試結構僅佔晶片非常微小的區域。實驗所用的儀器包括裝設有CCD之傳統電子探針台、影像擷取處理系統、I-V、供應器以及溫控，這些在一般電子或IC廠可方便取得。不像傳統的方法，本文是透過量測測試結構位移及I-V圖來建構電阻-溫度之間的特性，而測試溫度是由溫控台來決定。因此在實驗儀器及步驟程序上都比傳統方法簡單。本文以參麟之多晶矽薄膜來驗證本方法之效益性，然而此方法是可以應用在其他的導電薄膜材料上。由實驗量得在室溫至900度之間，參磷之多晶矽薄膜的電阻溫度係數約為0.0023C
關聯:	勤益學報 21(1) p.325-337
顯示於類別:	[勤益科技大學] 勤益學報

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