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    題名: 三接面太陽能電池增加表面活化劑銻改善磷化銦鎵子電池磊晶層品質
    作者: 吳書緯
    童世昌
    黃文祥
    張榮庭
    張峻領
    楊智超
    楊秉棠
    吳志宏
    貢獻者: 國立勤益科技大學
    關鍵詞: 金屬有機化合物化學氣相沉積技術
    磷化銦鎵
    三接面太陽能電池
    日期: 2013-05-24
    上傳時間: 2013-07-05 15:48:45 (UTC+8)
    出版者: 台中;滄海書局
    摘要: 為了提升太陽能電池效率,改善太陽能電池的串聯電阻(Rs)、並聯電阻(Rsh)是重要的課題。其中
    OHKOUCHI 研究團隊[1]提出使用金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)技術,成長磷化銦鎵InGaP
    磊晶層過程中添加銻(Sb)源當作表面活化劑使用,可以適當的減少InGaP 磊晶層的有序性,可以適當
    的改變表面重構現象進而改善磊晶層的品質。研究團隊[1][2]提出相關文獻,關於長晶過程中使用表面
    活化劑的材料對於降低表(接)面粗糙度[1] ,以及增加材料的高遷移率[2]均有非常好的結果。因此我們
    團隊在此篇報告中特別針對三接面太陽能電池中,改善子電池InGaP 磊晶層接面間的品質提出改善的
    討論。在結論方面,實驗結果與文獻[1][2]相符,特別對於電性量測方面,具有非常良好的改善情況。
    關聯: 2013綠色科技工程與應用研討會
    顯示於類別:[冷凍空調與能源系(所)] 【冷凍空調與能源系】研討會論文

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