以熱蒸鍍法製備硒化銅銦鎵薄膜之研究

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Title:	以熱蒸鍍法製備硒化銅銦鎵薄膜之研究
Authors:	童羿純盧鴻華
Contributors:	機械工程系
Keywords:	薄膜太陽能電池熱蒸鍍硒化銅銦鎵吸收層微結構
Date:	2011
Issue Date:	2013-07-22 15:07:58 (UTC+8)
Publisher:	台中;國立勤益科技大學
Abstract:	硒化銅銦鎵(CIGS)薄膜太陽能電池是最具有發展潛力之太陽能電池材料之一；本研究以Cu(In,Ga)Se2四元合金顆粒為起始材料，此Cu(In,Ga)Se2層係利用熱電阻式蒸鍍法(Thermal-Evaporation)，將銅銦鎵硒沉積於玻璃基板上，探討基板溫度對於CIGS薄膜性質之影響，並討論銅銦鎵硒合金薄膜之微結構、組成成份、表面形貌、電性分析以及光學性質等特性；再將所得到之硒化銅銦鎵薄膜置於高溫爐中進行熱處理，製作出p型的CIGS薄膜，探討熱處理溫度對於CIGS薄膜性質之影響，並討論硒化銅銦鎵薄膜熱處理後之晶粒大小、表面型態、微觀組織及化學組成、電性與光學特性等分析。實驗結果顯示，蒸鍍後獲得的薄膜利用XRD分析顯示,其結晶性下降,而薄膜經熱處理後的結晶性良好,基板加熱與無基板加熱的硒化銅銦鎵薄膜都只有CuIn0.7Ga0.3Se2結晶相，經過熱處理的硒化銅銦鎵薄膜晶粒尺寸也隨即上升，其表面粗糙度是有下降的趨勢，從截面圖中亦可發現晶粒尺寸是隨熱處理溫度上升而增加。在電性方面發現在蒸鍍時基板加熱的試片，為n型半導體，其試片經熱處理過後，電阻率有下降的趨勢，而未加熱基板的試片，為p型半導體，其試片經熱處理過後，電阻率有上升的現象。
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