氧化銦錫透明導電薄膜具有在可見光區的高穿透率與低電阻率之特性，因而廣泛被應用在光電元件，作為透明電極，如太陽能電池、液晶顯示器等，但由於氧化銦錫中的銦屬於稀土族元素，會使材料成本提高，因此為了減少銦材料的使用量，本實驗針對ITO / Ag / ITO多層結構作研究。
本研究利用直流磁控濺鍍技術製備ITO / Ag / ITO 多層透明導電薄膜於加熱350℃的玻璃基板上，藉由低掠角XRD、FE-SEM、AFM、SIMS、XPS、霍爾量測和光譜分析儀，分析薄膜的化學組成、結構特性、表面型態、電性及光學等特性，並對單層氧化銦錫與銀薄膜進行性質探討，實驗結果顯示，氧化銦錫薄膜在濺鍍功率為60 W，工作氣氛為純氬氣，厚度為50 nm時，可得到較佳光電性質的薄膜，其穿透率為82 %、電阻率為9.2x10-4Ω-cm，片電阻為206Ω/□；此外，單層銀薄膜在10 nm以上時形成半連續結構之薄膜，具有較佳的導電性。以此結果作為ITO / Ag / ITO多層結構之氧化銦錫薄膜的製程參數，所沉積出的多層結構在中間銀層厚度為10 nm時，具有較佳的光電性質，其穿透率為68%，電阻率為1.8×10-4Ω-cm，片電阻為49Ω/□。
