以熱蒸鍍法製備二硒化銅銦薄膜之特性研究

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Title:	以熱蒸鍍法製備二硒化銅銦薄膜之特性研究
Authors:	紀佩吟盧鴻華
Contributors:	機械工程系
Keywords:	氣氛熱蒸鍍二硒化銅銦熱處理
Date:	2012
Issue Date:	2013-07-23 13:28:53 (UTC+8)
Publisher:	台中;國立勤益科技大學
Abstract:	二硒化銅銦是屬於I-III-VI族化合物半導體，具有黃銅礦結構，且為直接能隙材料，對光的吸收係數高達104~105 cm-1，吸收範圍涵蓋紫外光至紅外光，熱穩定性佳，因此非常適合作為薄膜太陽能電池之材料。本研究以熱蒸鍍法，依序堆疊銦、硒、銅薄膜後，再進行熱處理，探討熱處理過程中，堆疊薄膜的反應機制，以及熱處理氣氛對二硒化銅銦薄膜的性質之影響。並藉由X-射線繞射分析儀、掃瞄式電子顯微鏡、X光-光電子能譜儀量測薄膜的化學組成、結構特性、表面型態、電性等。實驗結果顯示，在熱處理的過程當中，首先會先形成硒化銅及硒化銦的化合物，隨著溫度的增加，在500℃時會完全反應形成二硒化銅銦薄膜，此外，在氬氫混和氣下熱處理時，載子濃度為0.6837x1017cm-3，遷移率為11.94 cm2/V‧s，為N型半導體，晶粒尺寸約560 nm。
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