發展低溫製程氧化鋅電晶體應用於軟性元件

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題名:	發展低溫製程氧化鋅電晶體應用於軟性元件
作者:	張翔竣游信強
貢獻者:	電子工程系
關鍵詞:	可撓曲電晶體氧化鋅鋅錫氧化物溶膠凝膠
日期:	2011
上傳時間:	2013-08-02 16:05:13 (UTC+8)
出版者:	台中;國立勤益科技大學
摘要:	本論文提出使用簡單的溶膠凝膠法 (Sol-Gel) 沉積氧化鋅 (ZnO)薄膜應用在電晶體上當作通道層使用。首先，探討氧化鋅使用背電極結構研究在不同的退火溫度下，對於電晶體特性影響。在退火300℃時發現氧化鋅本身氧空缺特性使得電晶體之電流開關比可達到105，隨著退火溫度提高會使氧化鋅薄膜開始結晶，而讓電流開關比最高可達到107。接下來，我們把退火溫度固定在300℃，將氧化鋅薄膜摻雜不同濃度的錫金屬，發現隨著錫摻雜濃度變小，操作電壓會減少。最後使用polyimide取代矽晶圓 (Silicon) 當做基底，搭配溶膠凝膠法，在將製程溫度設定在300℃，成功製得可撓曲之氧化鋅 (ZnO) 和鋅錫氧化物 (ZTO)電晶體。
顯示於類別:	[電子工程系(所)] 【電子工程系所】博碩士論文

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