研究氧化鋅薄膜電晶體在不同退火溫度及銦摻雜後的元件特性

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題名:	研究氧化鋅薄膜電晶體在不同退火溫度及銦摻雜後的元件特性
作者:	邵祺堯謝韶徽
貢獻者:	電子工程系
關鍵詞:	透明薄膜電晶體氧化鋅
日期:	2011
上傳時間:	2013-08-05 13:34:21 (UTC+8)
出版者:	台中;國立勤益科技大學
摘要:	透明薄膜電晶體(transparent thin-film transistors)是新一世代重要的半導體元件，在許多透明氧化物半導體的材料中，氧化鋅(zinc oxide, ZnO)具有高透明度、寬能隙、高遷移率、無毒、材料取得方便等優點而倍受青睞，並被廣泛應用於光電元件及平面顯示器領域。本論文係利用溶液法(solution method)製作氧化鋅半導體薄膜，接著對氧化鋅薄膜作不同退火溫度(annealing temperature)與摻雜銦(doped indium)的處理，並對其透明薄膜電晶體的物理及電性做一系列之研究。在氧化鋅薄膜的物性上，使用AFM、XRD、XPS等分析方式來探討溶液法之氧化鋅薄膜之結構，粗糙度與組成的關係。在薄膜電晶體應用研究中，使用安捷倫4156半導體參數分析儀 (Agilent 4156C Semiconductor Parameter Analyzer)量測薄膜電晶體的電性趨勢，探討低溫成長之氧化鋅薄膜在各種退火的情況下製作之元件基本電性，接著以溶液法製備不同硝酸銦濃度摻雜之氧化鋅薄膜電晶體，分別探討氧化物薄膜與其電晶體之物性與電性。研究發現氧化鋅藉由硝酸銦的摻雜可以提高載子遷移率與降低臨界電壓值，並且使其薄膜電晶體有較高之電流開關比(on/off current ratio)。最後將氧化銦鋅薄膜電晶體(indium-zinc-oxide TFT)轉移成軟性薄膜電晶體觀察彎曲後的特性改變。
顯示於類別:	[電子工程系(所)] 【電子工程系所】博碩士論文

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