氧電漿表面處理及溶液濃度對氧化鋅薄膜電晶體之影響

NCUTIR > College of Electrical Engineering and Computer Science > Department of Electronic Engineering > 【電子工程系所】博碩士論文 > Item 987654321/5014

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncut.edu.tw/handle/987654321/5014

Title:	氧電漿表面處理及溶液濃度對氧化鋅薄膜電晶體之影響
Authors:	杜彥葳游信強
Contributors:	電子工程系
Keywords:	可撓曲電晶體氧化鋅溶膠凝膠
Date:	2012
Issue Date:	2013-08-05 14:38:11 (UTC+8)
Publisher:	台中;國立勤益科技大學
Abstract:	本論文研究目的為製造與發展一個高透明薄膜氧化鋅薄膜電晶體(ZnO-TFTs)。氧化鋅的寬能隙特性，使氧化鋅成為備受矚目的透明半導體材料，並實現全透明薄膜電晶體(TTFT)的研究與應用。本論文主要分成四個部分。第一部分為不同半導體層厚度對於氧化鋅薄膜電晶體的電性影響。利用穿透式電子顯微鏡分析薄膜厚度可發現旋塗次數與薄膜厚度成正比。旋塗三次的氧化鋅薄膜電晶體(薄膜厚度為11.7 nm)，其電流開關比可達到106 ，電子遷移率可達0.01 (cm2/V-s)，臨界電壓可達15.3 V。第二部分係探討使用酒精與二甲氧基乙醇當作溶劑對於氧化鋅薄膜電晶體的影響。利用X光繞射儀(XRD)分析薄膜晶體結構可發現乙醇相較於乙二醇甲醚有相當明顯的(002)峰值。其電流開關比可達106 ，電子遷移率可達0.12 (cm2/V-s) ，臨界電壓可達11.1 V。第三部分在探討氧電漿處理對軟性基板上的氧化鋅薄膜電晶體之影響。經過3分鐘氧電漿處理的軟性元件顯示電流開關比可達可達108，電子遷移率可達0.739 (cm2/V-s)，臨界電壓可達14 V。第四部分為變溫量測氧化鋅薄膜電晶體。基板加熱至50℃時，塑膠基板電流開關比可達1010，電子遷移率可達22.8 (cm2/V-s)，臨界電壓可達12.9 V。
Appears in Collections:	[Department of Electronic Engineering] 【電子工程系所】博碩士論文

Files in This Item:

There are no files associated with this item.

View Licence

Loading...