低溫製程氧化鋅薄膜電晶體及自組裝奈米金電荷捕捉層應用於快閃記憶體與熱處理電性之改善

勤益科大機構典藏 > 電資學院 > 電子工程系(所) > 【電子工程系所】博碩士論文 > Item 987654321/5044

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncut.edu.tw/handle/987654321/5044

题名:	低溫製程氧化鋅薄膜電晶體及自組裝奈米金電荷捕捉層應用於快閃記憶體與熱處理電性之改善
作者:	吳昇峻游信強
贡献者:	電子工程系
关键词:	元件可靠度奈米金奈米金連結層穿隧氧化層快閃記憶體記憶窗口
日期:	2013
上传时间:	2013-08-05 15:16:05 (UTC+8)
出版者:	台中;國立勤益科技大學
摘要:	本論文的研究目的為以奈米金用自組裝的方法做為電荷捕捉層，並以低溫製程氧化鋅做為電晶體通道層，我們使用了APTMS、MPTES兩種不同的連結層來附著上我們的奈米金，再以原子力顯微鏡掃描元件的奈米金附著情況，再調整阻擋氧化層及穿隧氧化層的厚度，利用延續研究的溶膠凝膠法氧化鋅溶液作為通道層，完成以後元件擁有優良的寫入特性，其中又以APTMS的連結層，記憶視窗可以達到8伏特，證明了奈米金作為電荷捕捉層的記憶體元件是可行的，在最後，我們利用加熱的方式，使得放置一年後的元件，電性有相當不錯的改善。
显示于类别:	[電子工程系(所)] 【電子工程系所】博碩士論文

文件中的档案:

没有与此文件相关的档案.

检视Licence

在NCUTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.