氧電漿應用於透明與可撓式氧化鋅薄膜電晶體

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題名:	氧電漿應用於透明與可撓式氧化鋅薄膜電晶體
作者:	黃朝源游信強
貢獻者:	電子工程系
關鍵詞:	氧電漿處理軟性薄膜電晶體氧化鋅薄膜電晶體
日期:	2013
上傳時間:	2013-08-05 15:40:47 (UTC+8)
出版者:	台中;國立勤益科技大學
摘要:	近年來，氧化鋅材料逐漸受到關注，但是現階段的氧化鋅的成長與製作缺乏一些簡單且穩定的製程來製作氧化鋅薄膜。本論文利用溶膠-凝膠法分別在矽基板與軟板上塗佈氧化鋅薄膜當作本研究中的TFT元件的半導體層，研究中又會分成兩個部分，第一部分有對表面進行氧電漿的處理，第二部分沒有對表面進行氧電漿處理。在特性分析方面，在矽基板上有經過氧電漿處理之氧化鋅薄膜TFT元件，其電流開關比可達107、電子遷移率可達0.01 (cm2/V-s)、臨界電壓15.3 V。在軟板上有經過氧電漿處理之氧化鋅薄膜TFT元件，其電流開關比可達108、電子遷移率可達5.57 (cm2/V-s)、臨界電壓18 V。接著對放置一年的氧化鋅薄膜TFT元件進行可靠度分析，在矽基板上有經過氧電漿處理之氧化鋅薄膜TFT元件，其電流開關比仍可達107、電子遷移率可達0.004 (cm2/V-s)、臨界電壓11 V。在軟板上有經過氧電漿處理之氧化鋅薄膜TFT元件，其電流開關比可達105、電子遷移率可達0.2 (cm2/V-s)、臨界電壓2 V。
顯示於類別:	[電子工程系(所)] 【電子工程系所】博碩士論文

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