勤益科大機構典藏:Item 987654321/2308
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 2928/5721 (51%)
造访人次 : 376531      在线人数 : 249
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧：
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号"，以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻，建议至进阶搜寻限定作者字段，可获得较完整数据
    •  进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncut.edu.tw/handle/987654321/2308


    题名: 以CCVD法生長奈米碳管之製程參數研究
    作者: 謝忠祐;蔡國銘;鄭智銘;張玫玲;唐子驥
    贡献者: 機械工程系
    Department of Mechanical Engineering
    关键词: 奈米碳管;CVD;催化劑
    日期: 2003-07
    上传时间: 2008-12-23 10:26:33 (UTC+8)
    出版者: 勤益科技大學
    摘要: 催化劑化學氣相沈積法(Catalytic Chemical Vapor Deposition Method)是一種常用於生長奈米碳管的方法，本研究主要是建構一套化學氣相沈積設備，並對催化劑種類、附著方式、退火溫度與時間、生長溫度與時間做一系列的研究。由實驗結果可知，本系所製備之CVD設備已可成功地長出奈米碳管；當使用離子濺鍍方法所得之催化劑層較為細小均勻，而當退火溫度在850℃且生長溫度在1150℃時可得有限長度的奈米管，可以此為基礎進行更進一步的生長控制研究。
    關聯: 勤益學報 21(1) p.313-323
    显示于类别:[勤益科技大學] 勤益學報

    文件中的档案:

    档案 大小格式浏览次数
    0KbUnknown1265检视/开启


    在NCUTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈