勤益科大機構典藏:Item 987654321/6099
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 2928/5721 (51%)
造访人次 : 375975      在线人数 : 689
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧：
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号"，以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻，建议至进阶搜寻限定作者字段，可获得较完整数据
    •  进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncut.edu.tw/handle/987654321/6099


    题名: Indium Doping Concentration Effects in the Fabrication of Zinc-Oxide Thin-Film Transistors
    作者: 游信強
    贡献者: 電子工程(學)系
    日期: 2013-07
    上传时间: 2017-09-28 09:22:22 (UTC+8)
    關聯: International Journal of ELECTROCHEMICAL SCIENCE
    显示于类别:[電子工程系(所)] 【電子工程系所】期刊論文

    文件中的档案:

    没有与此文件相关的档案.



    检视Licence

    在NCUTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈